根据美国旧金山纪事报本月7日发出的讣闻，全球微电子科学技术与半导体器件专家和教育家施敏教授于美国安祥离世，享寿87岁。

　　施敏教授深耕于电子和半导体元件领域，以在半导体物理与技术领域的卓越远见和对科学的热情为全球半导体产业及人类科技文明进步做出了巨大的贡献。在此，我们以无尽的敬意和真挚的怀念，悼念这位半导体巨擘的离世。

　　施敏教授1936年3月出生于上海，1957年从台湾大学毕业后赴美留学，1960年获得华盛顿大学硕士学位；1963年获得斯坦福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休。

　　1967年，施敏教授和Dawon Kahng制造了世界上第一个浮栅非挥发性记忆体元件，也就是现今应用快速成长的快闪记忆体，是各项消费性科技产品所使用的关键零件之一，是半导体技术的重大突破之一。

　　另外，施敏教授还对跨金属/半导体 (金/半)载流子的传输理论和实践，做出了基础性和开创性的贡献。他对于大范围掺杂(1014-1020/cm3) 和工作温度 (硅: 77K-373K；砷化镓：50K-500K)的金/半接触特性，通过跨金/半界面势垒的量子隧道穿越、热电子发射、镜像力降低和二维统计杂质变化的共同效应都做出了分析和实验。这些对硅和砷化镓半导体的前沿贡献，不仅奠定了欧姆和肖特基 (欧/肖)接触的科学理论基础，并且开启了制造近代半导体器件的可扩展途径。在接下来的50年中，它们被广泛地用于计算、通信、传感、控制、成像和记忆之芯片电路的制造，对人类生活和文明有巨大贡献。

　　在教育方面，1968年，施敏教授在贝尔实验室办理停薪离职，回到台湾交通大学设立电子工程博士班，次年施敏教授编著的《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）被翻译成六国文字，广泛用作教科书与参考书。2003年以来，施敏教授在中国内地高校，包括上海交通大学、西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学等，开设半导体相关课程，为国家培养了大批半导体人才，2017年间代表台湾交通大学到宁波和苏州演讲交流，为两岸半导体人才培养和研发交流付出巨大时间和心力。

　　在施敏教授非凡的一生中，他先后膺选台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士等。另外，“2021未来科学大奖”之“数学与计算机科学奖”也被授予施敏教授，以表彰他对金属与半导体间载流子互传的理论认知做出的贡献，促成了过去50年中按“摩尔定律”速率建造的各代集成电路中如何形成欧姆和肖特基接触的关键技术。

　　纵观施敏教授投身半导体科研教育工作六十余年，为全球半导体科技进步奠基的同时也提携培养两岸三地的半导体学术产业专业人才及新世代领袖，是两岸乃至世界华人半导体业界备受敬重的开拓者及领路人。

　　施敏教授生前好友、国际友人、及世界华人半导体同业对施敏教授的骤然离逝莫不万分不舍，同声哀悼，都认为是半导体业界的重大损失。

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