决定，这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。用于定量描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线可见，二极管的导电特性可分为正向特性和反向特性两部分。

　　当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时，开始时正向电流很小，几乎为零，二极管呈现很大的

　　，这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0. 5V;锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中，当二极管正偏电压小于死区电压时，视为其正向电流为零的状态。外加电压超过死区电压后，正向电流开始出现，直到等于导通电压，正向电流迅速增加，这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6-0. 7V，锗管的导通电压为0.2-0.3V.

　　当给二极管加反向电压时，形成的反向电流很小，而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化，故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流，通常硅管有几微安到几十微安；锗管有几十微安到几百微安。这个电流是衡量二极管质量优劣的重要

　　，其值越小，二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流，认为二极管反向不导通。如果反向电压不断增大到一定值时，反向电流会突然增大，这种现象称为反向击穿，这时二极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时，是不允许出现这种现象的。

　　这种二极管正如标题所说的那样，通常被使用于检波和整流电路中，是正向和反向特性既不特别好，也不特别坏的中间

　　电路的检波和整流。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、OA81等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。

　　正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小，因此其特长是反向电阻高。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，就锗材料高反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A等等属于这类二极管。

　　它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点接触型二极管而言，有SD56、1N56A等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。

　　结构的硅（Si）和锗（Ge）（图1-2）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体

　　主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的

　　单导游电性的电子元器件（即只允许电流往一个方向流过，就是箭头方向），它相似于我们生活中所用的开关，当它正导游通时，相当于开关处于闭合形态，导通电阻很小；当它反向

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　　电力网供给用户的是交流电，而各种无线电装置需要用直流电。整流，就是把交流电变为直流电的过程。利用

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